ຮູບຮ່າງມົນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ 99.95% Mo material 3N5 Molybdenum sputtering ເປົ້າຫມາຍສໍາລັບການເຄືອບແກ້ວແລະການຕົບແຕ່ງ
ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ
| ຊື່ຍີ່ຫໍ້ | ໂລຫະ HSG |
| ໝາຍເລກຕົວແບບ | ເປົ້າໝາຍ HSG-moly |
| ເກຣດ | MO1 |
| ຈຸດລະລາຍ (℃) | 2617 |
| ການປຸງແຕ່ງ | Sintering / ປອມ |
| ຮູບຮ່າງ | ພາກສ່ວນຮູບຮ່າງພິເສດ |
| ວັດສະດຸ | molybdenum ບໍລິສຸດ |
| ອົງປະກອບທາງເຄມີ | ໂມ:> =99.95% |
| ໃບຢັ້ງຢືນ | ISO9001:2015 |
| ມາດຕະຖານ | ASTM B386 |
| ດ້ານ | ພື້ນຜິວສົດໃສແລະຫນ້າດິນ |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 10.28g/ຊມ3 |
| ສີ | ໂລຊັ້ນ |
| ຄວາມບໍລິສຸດ | ໂມ:> =99.95% |
| ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ | ຮູບເງົາເຄືອບ PVD ໃນອຸດສາຫະກໍາແກ້ວ, ແຜ່ນ ion |
| ຂໍ້ໄດ້ປຽບ | ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນດີກວ່າ |
ຄວາມພ້ອມມາດຕະຖານແມ່ນໄດ້ອະທິບາຍໄວ້ຂ້າງລຸ່ມນີ້. ຂະຫນາດແລະຄວາມທົນທານອື່ນໆທີ່ມີຢູ່.
| ຄວາມຫນາ | ສູງສຸດ. ກວ້າງ | ສູງສຸດ. ຄວາມຍາວ |
| .090" | 24" | 110" |
| .125" | 24" | 80" |
| .250" | 24" | 40" |
| .500" | 24" | 24" |
| >.500" | 24" |
ສໍາລັບຄວາມຫນາຫຼາຍກວ່າເກົ່າ, ຜະລິດຕະພັນແຜ່ນໄດ້ຖືກຈໍາກັດໂດຍປົກກະຕິ 40 ກິໂລນ້ໍາຫນັກສູງສຸດຕໍ່ຊິ້ນ.Molybdenum Plate ຄວາມທົນທານມາດຕະຖານຄວາມຫນາ.
| ຄວາມຫນາ | .25" ຫາ 6" | 6 "ຫາ 12" | 12" ຫາ 24" |
| .090" | ± .005" | ± .005" | ± .005" |
| > .125 | ± 4% | ± 4% | ± 4% |
Molybdenum Plate ມາດຕະຖານຄວາມທົນທານຄວາມກວ້າງ
| ຄວາມຫນາ | .25" ຫາ 6" | 6 "ຫາ 12" | 12" ຫາ 24" |
| .090" | ± .031" | ± .031" | ± .031" |
| > .125 | ± .062" | ± 062" | ± 062" |
ໝາຍເຫດ
ແຜ່ນ (0.13mm ≤ຄວາມຫນາ≤ 4.75mm)
ແຜ່ນ (ຄວາມຫນາ> 4.75mm)
ຂະຫນາດອື່ນໆສາມາດເຈລະຈາໄດ້.
ເປົ້າຫມາຍ Molybdenum ເປັນວັດສະດຸອຸດສາຫະກໍາ, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນແກ້ວ conductive, STN / TN / TFT-LCD, ແກ້ວ optical, ການເຄືອບ ion ແລະອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ. ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການເຄືອບຮາບພຽງທັງຫມົດແລະລະບົບການເຄືອບ spin.
ເປົ້າໝາຍໂມລິບdenum ມີຄວາມໜາແໜ້ນຂອງ 10.2 g/cm3. ຈຸດລະລາຍແມ່ນ 2610 ອົງສາ C. ຈຸດຮ້ອນແມ່ນ 5560°C.
ຄວາມບໍລິສຸດຂອງເປົ້າຫມາຍ molybdenum: 99.9%, 99.99%
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ: ເປົ້າຫມາຍຮອບ, ເປົ້າຫມາຍແຜ່ນ, ເປົ້າຫມາຍຫມຸນ
ຄຸນສົມບັດ
ການນໍາໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ;
ຄວາມຕ້ານທານຂອງອຸນຫະພູມສູງ;
ຈຸດ melting ສູງ, ການຜຸພັງສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນ electrodes ຫຼືອຸປະກອນສາຍໄຟ, ໃນວົງຈອນປະສົມປະສານ semiconductor, ຈໍສະແດງຜົນຮາບພຽງຢູ່ແລະການຜະລິດກະດານແສງຕາເວັນແລະຂົງເຂດອື່ນໆ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ພວກເຮົາມີການຜະລິດ tungsten, ເປົ້າຫມາຍ tantalum, ເປົ້າຫມາຍ niobium, ເປົ້າຫມາຍທອງແດງ, ຂະຫນາດສະເພາະຂອງການຜະລິດຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.
ຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
-
ເປົ້າໝາຍ Tantalum
ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ ຊື່ຜະລິດຕະພັນ: ຈຸດປະສົງ tantalum ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ຈຸດປະສົງ tantalum ບໍລິສຸດ ວັດສະດຸ Tantalum ຄວາມບໍລິສຸດ 99.95% ນາທີ ຫຼື 99.99% ນາທີ ສີ A ເຫຼື້ອມ, ໂລຫະສີເງິນທີ່ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ. ຊື່ອື່ນ Ta target ມາດຕະຖານ ASTM B 708 ຂະຫນາດ Dia >10mm * ຫນາ >0.1mm Shape Planar MOQ 5pcs ເວລາການຈັດສົ່ງ 7days ໃຊ້ເຄື່ອງເຄືອບ Sputtering ຕາຕະລາງ 1: ອົງປະກອບທາງເຄມີ ...
-
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ 99.8% titanium grade 7 ຮອບ sputter ...
ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ ຊື່ຜະລິດຕະພັນ ເປົ້າຫມາຍ Titanium ສໍາລັບເຄື່ອງເຄືອບ pvd ຊັ້ນຮຽນທີ Titanium (Gr1, Gr2, Gr5, Gr7, GR12) ເປົ້າຫມາຍໂລຫະປະສົມ: Ti-Al, Ti-Cr, Ti-Zr ແລະອື່ນໆຕົ້ນກໍາເນີດ Baoji ເມືອງ Shaanxi ແຂວງ Shaanxi ຈີນ ເນື້ອໃນ Titanium ≥99.5 (% ) ເນື້ອໃນ impurity <0.02 (%) ຄວາມຫນາແຫນ້ນ 4.51 ຫຼື 4.50 g/cm3 ມາດຕະຖານ ASTM B381; ASTM F67, ASTM F136 ຂະຫນາດ 1. ຮອບເປົ້າຫມາຍ: Ø30--2000mm, ຄວາມຫນາ 3.0mm--300mm; 2. Plate Targe: Length: 200-500mm Width: 100-230mm Thi...
-
ເປົ້າໝາຍ Niobium
ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ ລາຍລະອຽດລາຍການ ASTM B393 9995 ເປົ້າຫມາຍ niobium ຂັດບໍລິສຸດສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາມາດຕະຖານ ASTM B393 ຄວາມຫນາແຫນ້ນ 8.57g / cm3 ຄວາມບໍລິສຸດ ≥99.95% ຂະຫນາດຕາມຮູບແຕ້ມຂອງລູກຄ້າ ການກວດສອບ ການທົດສອບອົງປະກອບທາງເຄມີ, ການທົດສອບກົນຈັກ, ການກວດກາ Ultrasonic, ຮູບລັກສະນະ R104, ຂະຫນາດ R104, ຂະຫນາດ R104, ຂະຫນາດ R104, ຂະຫນາດ R104, 1004 , R04261 ການຂັດຜິວ, ເຕັກນິກການ grinding sintered, ມ້ວນ, forged ຄຸນນະສົມບັດອຸນຫະພູມສູງ resi ...
-
ເປົ້າໝາຍ Tungsten
ຕົວກໍານົດການຜະລິດຕະພັນ ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Tungsten(W) sputtering ເປົ້າຫມາຍ Grade W1 ມີຄວາມບໍລິສຸດ(%) 99.5%, 99.8%, 99.9%, 99.95%, 99.99% ຮູບຮ່າງ: ແຜ່ນ, ມົນ, rotary, ທໍ່ / tube Specification ຕາມລູກຄ້າຕ້ອງການມາດຕະຖານ ASTM B760- 07,GB/T 3875-06 ຄວາມຫນາແຫນ້ນ ≥19.3g/cm3 ຈຸດລະລາຍ 3410°C ບໍລິມາດປະລໍາມະນູ 9.53 cm3/mol ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມຄວາມຕ້ານທານ 0.00482 I/℃ Sublimation ຄວາມຮ້ອນ 847.8 kJ/mol(25℃) ຄວາມຮ້ອນ Latent 406.1 ±3. kJ/mol...